High performance 65 nm SOI technology with dual stress liner and low capacitance SRAM cell

E. Leobandung, H. Nayakama, D. Mocuta, K. Miyamoto, M. Angyal, H. V. Meer, K. McStay, I. Ahsan, S. Allen, A. Azuma, M. Belyansky, R. V. Bentum, J. Cheng, D. Chidambarrao, B. Dirahoui, M. Fukasawa, M. Gerhardt, M. Gribelyuk, S. Halle, H. HarifuchiD. Harmon, J. Heaps-Nelson, H. Hichri, K. Ida, M. Inohara, K. Inoue, K. Jenkins, T. Kawamura, B. Kim, S. K. Ku, M. Kumar, S. Lane, L. Liebmann, R. Logan, I. Melville, K. Miyashita, A. Mocuta, P. O'Neil, M. F. Ng, T. Nogami, A. Nomura, C. Norris, E. Nowak, M. Ono, S. Panda, C. Penny, C. Radens, R. Ramachandran, A. Ray, S. H. Rhee, D. Ryan, T. Shinohara, G. Sudo, F. Sugaya, J. Strane, Y. Tan, L. Tsou, L. Wang, F. Wirbeleit, S. Wu, T. Yamashita, H. Yan, Q. Ye, D. Yoneyama, N. Zamdmer, H. Zhong, H. Zhu, W. Zhu, P. Agnello, S. Bukofsky, G. Bronner, E. Crabbé, G. Freeman, S. F. Huang, T. Ivers, H. Kuroda, D. McHerron, J. Pellerin, Y. Toyoshima, S. Subbanna, N. Kepler, L. Su

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution

Fingerprint

Dive into the research topics of 'High performance 65 nm SOI technology with dual stress liner and low capacitance SRAM cell'. Together they form a unique fingerprint.

Engineering & Materials Science